| RoHS EU | Not Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8542.33.00.01 |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Typ | Low Noise Amplifier |
| Herstellerart | Low Noise Amplifier |
| Anzahl der Kanäle pro Chip | 2 |
| Zwischen den Versorgungsspannungsanschlüssen | Rail to Rail Output |
| Prozesstechnologie | 5um |
| Ausgangsart | CMOS |
| Max. Eingangs-Offsetspannung (mV) | 0.95@±2.5V |
| Mindest erforderliche einzelne Versorgungsspannung (V) | 4.4 |
| Max. Einzelversorgungsspannung (V) | 16 |
| Mindest-Doppelversorgungsspannung (V) | ±2.2 |
| Typische Doppelversorgungsspannung (V) | ±3|±5 |
| Max. Doppelversorgungsspannung (V) | ±8 |
| Max. Eingangs-Offsetstrom (uA) | 0.0000005(Typ)@±2.5V |
| Typischer Eingangs-Bias-Strom (uA) | 0.000001@±2.5V |
| Max. Eingangs-Bias-Strom (uA) | 0.0008@±2.5V@-40C to 125C |
| Max. Ruhestrom (mA) | 0.5@5V |
| Typischer Ausgangsstrom (mA) | 50(Max) |
| Spannungsversorgungsart | Single|Dual |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 1050 |
| Typische Anstiegsgeschwindigkeit (V/us) | 0.55@5V |
| Typische Eingangsrauschen-Spannungsdichte (nV/rtHz) | 40@5V |
| Typischer Spannungsgewinn (dB) | 114.81 |
| Typische Stromrauschdichte des nicht invertierenden Eingangs (pA/rtHz) | 0.0006@5V |
| Mindest-Gleichtaktunterdrückungsverhältnis (CMRR) (dB) | 70 |
| Typisches Gewinnbandbreiten-Produkt (MHz) | 0.82 |
| Typische Einschwingzeit (ns) | 14100 |
| Abschaltunterstützung | No |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 125 |
| Temperaturbereich Lieferant | Military |
| Verpackung | Tube |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 5.08(Max) - 0.51(Min) |
| Verpackungsbreite | 7.11(Max) |
| Verpackungslänge | 10.16(Max) |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Standard-Verpackungsname | DIP |
| Lieferantenverpackung | CDIP |
| Stiftanzahl | 8 |
| Leitungsform | Through Hole |
