| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Obsolete |
| HTS | COMPONENTS |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 55 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±16 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 17 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 25 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 65@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 15(Max)@5V |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 8.5(Max) |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 3.7(Max) |
| Typische Umkehr-Erholungsladung (nC) | 130 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 480@25V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 61@25V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 1 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 130 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 45000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 29 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 74 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 20 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 7.1 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 72 |
| Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W) | 50 |
| Typische Gate-Plateau-Spannung (V) | 3.6 |
| Typische Sperrerholungszeit (ns) | 60 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1.3 |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 16 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 2.39(Max) mm |
| Verpackungsbreite | 6.22(Max) mm |
| Verpackungslänge | 6.73(Max) mm |
| Leiterplatte geändert | 2 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | DPAK |
| Stiftanzahl | 3 |
