| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Obsolete |
| HTS | COMPONENTS |
| Automotive | Yes |
| PPAP | Unknown |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single Dual Drain Octal Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 40 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 40 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 3.9 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 57 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 0.6@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 375@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 375 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 17890@25V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.2 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 2640 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 3800 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 95 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 117 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 120 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 34 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Temperaturbereich Lieferant | Automotive |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm) | 0.35@10V |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 40 |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 1150 |
| Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W) | 40 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1.2 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.74(Max) mm |
| Verpackungsbreite | 7.1(Max) mm |
| Verpackungslänge | 9.15(Max) mm |
| Leiterplatte geändert | 9 |
| Lieferantenverpackung | Direct-FET |
| Stiftanzahl | 9 |
